Um sistema experimental de pesquisa científica para galvanoplastia de wafers de silício em tubos de aquecimento elétrico

Um sistema experimental de pesquisa científica para galvanoplastia de wafers de silício em tubos de aquecimento elétrico

O sistema experimental de pesquisa científica para galvanoplastia de wafer de silício pertence ao campo técnico de dispositivos de microprocessamento de wafer de silício, que é caracterizado pelo fato de que uma placa de suporte fixada na parede interna do tanque de galvanoplastia ao longo da direção da largura do tanque de galvanoplastia é usada para fixe o ânodo e o cátodo, formando assim um canal para o fluxo da solução de galvanoplastia na área de trabalho de galvanoplastia entre a placa de suporte e a placa inferior do tanque de galvanoplastia. A hélice é acionada por um motor configurado ao longo da direção do comprimento do tanque de galvanoplastia, faz com que a solução de galvanoplastia flua para o outro lado da direção do comprimento do banho de galvanoplastia através do canal e, em seguida, através de vários orifícios circulares fixados na placa de fluxo uniforme de o lado externo do eletrodo ao longo da direção do comprimento do banho de galvanoplastia, faça a solução de galvanoplastia fluir uniformemente para cima e para baixo na superfície da bolacha de silício pendurada no cátodo na área de trabalho de galvanoplastia. Em seguida, escoe pelos orifícios em outra placa de fluxo uniforme e obtenha um revestimento uniforme no wafer de silício. O sistema experimental de pesquisa científica preenche o espaço em branco da galvanoplastia de wafer de silício, atendendo às necessidades da pesquisa científica.

Uma solução de galvanoplastia de cromo trivalente totalmente sulfatada contendo sulfato de cromo, sulfato de potássio e/ou sulfato de sódio, ácido bórico, agente complexante e água, em que a solução de galvanoplastia também contém aditivo A e aditivo B. O aditivo A é selecionado de um ou mais dentre emulsificantes OP, fluoroborato solúvel em água, fluorosilicato solúvel em água, ácido vinil diaminoacético, cistina, 1,4-butinediol, tioureia e etilenoglicol; O aditivo B é selecionado de um ou mais de ftalimida, glicerol, sulfossuccinato solúvel em água, disoctil sulfossuccinato dissódico e alquil éter sulfato solúvel em água com um número de átomos de carbono de 2-20. A solução de galvanoplastia fornecida pela presente invenção melhora muito a faixa de densidade de corrente do revestimento e a faixa de densidade de corrente da área clara.

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