DLC de feixe de íons cromado a vácuo

DLC de feixe de íons cromado a vácuo

DLC de feixe de íons: O gás carbono é ionizado em plasma na fonte de íons e, sob a ação combinada do campo eletromagnético, a fonte de íons libera íons de carbono. A energia do feixe de íons é controlada ajustando a voltagem aplicada ao plasma. Um feixe de íons hidrocarbonetos é direcionado para o substrato, e a taxa de deposição é proporcional à densidade da corrente iônica. A fonte de feixe de íons do revestimento de arco estelar adota alta tensão, de modo que a energia iônica é maior, o que faz com que o filme e o substrato se unam bem; a corrente iônica é maior, o que torna a velocidade de deposição do filme DLC mais rápida. As principais vantagens da tecnologia de feixe de íons são a deposição de estruturas ultrafinas e multicamadas, a precisão do controle do processo de vários angstroms e a minimização de defeitos causados ​​pela contaminação de partículas durante o processo.

Tecnologia PVD de revestimento Star Arc em cromagem a vácuo

Arco catódico magnetron aprimorado: A tecnologia de arco catódico visa ionizar o material alvo em um estado iônico por meio de baixa tensão e alta corrente sob condições de vácuo, completando assim a deposição de materiais de película fina. O arco catódico magnetron aprimorado utiliza a ação combinada do campo eletromagnético para controlar efetivamente o arco na superfície do material alvo, de modo que a taxa de ionização do material seja maior e o desempenho do filme seja melhor.

Filtragem de arco catódico: O arco catódico filtrante (FCA) é equipado com um eficiente sistema de filtragem eletromagnética, que pode filtrar as partículas macroscópicas e aglomerados de íons no plasma gerado pela fonte de íons. A taxa de ionização das partículas depositadas após a filtração magnética é de 100 por cento. Além disso, partículas grandes podem ser filtradas, de modo que o filme preparado é muito denso, plano e liso, tem boa resistência à corrosão e tem forte força de ligação com o corpo.

Sputtering de magnetron: Em um ambiente de vácuo, através da ação combinada de tensão e campo magnético, o alvo é bombardeado com íons de gás inerte ionizado, fazendo com que o alvo seja ejetado na forma de íons, átomos ou moléculas e depositado no substrato formando um filme fino. Dependendo da fonte de energia de ionização utilizada, materiais condutores e não condutores podem ser pulverizados como alvos.

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