Quais fatores estão relacionados ao estresse térmico das hastes de carbono de silício?

O estresse térmico das hastes de carbono de silício está relacionado a muitos fatores, como propriedades do material, condições de uso e design de equipamentos, como segue:
Propriedades do material
Coeficiente de expansão térmica: quanto maior o coeficiente de expansão térmica do material da haste de carbono de silício, maior a alteração do volume e o estresse térmico quando a temperatura muda ., por exemplo, os coeficientes de expansão térmicos do sênico de hastes de carbono de silício são feitas com diferentes fórmulas e processos de produção maiores.} As mesmas condições de mudança de temperatura .
Módulo elástico: o módulo elástico reflete a capacidade do material de resistir à deformação elástica . Quanto maior o módulo elástico da haste de carbono de silício, maior a tensão térmica gerada quando é restringida pela expansão térmica ou contração .
Condições de uso
Taxa de mudança de temperatura: Quando a temperatura sobe ou cai acentuadamente, o interior da haste de carbono de silício não tem tempo para expandir e contrair uniformemente, o que produzirá maior tensão térmica ., por exemplo, durante o aquecimento rápido ou o resfriamento, se a mudança de temperatura por segundo exceder um determinado valor, o estresse térmico aumentará significativamente.
Faixa de temperatura de uso: Quando varas de carbono de silício são usadas em altas temperaturas por longos períodos, suas propriedades materiais mudarão, como a resistência reduzida, alterações no coeficiente de expansão térmica, etc., o que levará a mudanças no estresse térmico. Além disso, quanto maior a temperatura de uso, mais sério geralmente é o problema de estresse térmico.
Environmental atmosphere: In an oxidizing, reducing or corrosive atmosphere, chemical reactions will occur on the surface of the silicon carbon rod, resulting in changes in surface properties, which in turn affect the distribution of thermal stress. For example, in an oxidizing atmosphere, an oxide layer is formed on the surface of the silicon carbon rod, and its thermal expansion coefficient is different from that of the internal material, que produzirá tensão térmica adicional .
Projeto e instalação de equipamentos
Método de instalação: Se a haste de carbono do silício for excessivamente restrita durante a instalação, limitando sua livre circulação de expansão e contração térmica, produzirá maior tensão térmica ., por exemplo, se a instalação for muito apertada ou o método de fixação não é razoável, a haste do silício não pode se formar e se contrairem normalmente quando a temperatura »e o estresse é que o estresse é que o estresse é que o estresse é que o estresse (o estresse é que o estresse é que o estresse é que o estresse é que o estresse é que o estresse é que o estresse e o estresse do silício não se formarem (o estresse do silicon não se formarem (o estresse do silício não é que o estresse e o estresse do sílico não se estresse (o estresse do silício»
Estrutura do forno de aquecimento: o projeto estrutural do forno de aquecimento afetará a uniformidade da distribuição de temperatura . Se a temperatura no forno for desigual, as várias partes da haste de carbono de silício forem aquecidas desiguais, o que levará a distribuição desigual de tensão térmica e tensão térmica local excessiva.}
Forma e tamanho da haste de carbono de silício
Comprimento e diâmetro: A distribuição de tensão térmica da haste de carbono de silício será diferente se as proporções de comprimento e diâmetro forem diferentes . em geral, para hastes de carbono de silício com uma proporção maior, a diferença no estresse térmico entre o final e o meio pode ser grande quando a temperatura muda.}}}
Forma transversal: hastes de carbono de silício com seções transversais não circulares produzirão distribuição de tensão térmica mais complexa devido a diferentes condução de calor e expansão térmica em diferentes direções ., por exemplo, o estresse térmico nos cantos e as bordas de uma haste de carbono de silício com uma haste retanular retanular pode ser maior que a de um rix de carbono de silício com silício